集团所属国电投核力创芯（无锡）科技有限公司核力创芯暨国家原子能组织核技能（功率芯片质子辐照）研制中心，完成了第一批氢离子注入功能优化芯片产品客户交给。

  这标志着，我国已全面把握功率半导体高能氢离子注入核心技能和工艺，补全了我国半导体工业链中缺失的重要一环，为半导体离子注入设备和工艺的全面国产代替奠定了根底。

  氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节，在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造的完好过程中起着要害作用。

  这一范畴核心技能、配备工艺的缺失，严峻限制了我国半导体工业的高端化开展，特别是600V以上高压功率芯片长时间依靠进口。

  核力创芯在遭受外国要害技能、配备封闭的晦气条件下，在不到3年的时间里，打破了多项要害技能壁垒，完成了100%自主技能、100%配备国产化，建成了我国首个核技能使用与半导体范畴交叉学科研制渠道。

  第一批交给的芯片产品阅历了累计近1万小时的工艺、可靠性测验验证，首要技能指标到达世界领先水平，取得用户高度评价。